證券時報記者 王一鳴
1月14日晚間，宏達電子(300726)發布控股子公司對外投資公告。
據披露，公司控股子公司思微特擬在無錫高新開發區設立子公司開展半導體特種器件芯片研究、設計、生產及封測等業務。為支撐業務落地，思微特規劃建設特種器件晶圓制造封測基地，項目計劃總投資10億元，共分兩期實施：一期自2026至2028年，預計總投資3億元；二期根據一期項目實際投資情況及未來市場發展情況，擇機建設半導體芯片流片線，總投資7億元。
該次投資不涉及關聯交易，也不構成重大資產重組，無需提交股東會審議。
談及本次投資目的，宏達電子表示，思微特本次在無錫投資建設特種器件晶圓制造封測基地項目，聚焦半導體高端領域，規劃建設特色半導體封裝線及高可靠半導體芯片流片線，旨在滿足新能源、消費電子、工業控制、高可靠等領域對高品質半導體產品的需求，助力國內半導體產業自主可控發展，實現企業與產業的雙向賦能。本次對外投資密切圍繞思微特主營業務展開，項目一期主要建設自主可控的高可靠半導體器件封裝線；二期根據一期項目實際投資情況及未來市場發展情況，擇機建設高可靠半導體芯片流片線，拓展公司在半導體器件自主化領域布局，豐富公司產品業務矩陣，為公司收入增長打造新的增長曲線。
“此次合作也是思微特與無錫高新開發區深化協同、共贏發展的重要舉措。將充分依托無錫高新開發區作為長三角核心經濟與科技高地，坐擁優質產業生態、充沛人才資源與完善基礎設施，獲得政策支持與產業資源稟賦，深化與產業鏈上下游的協同創新，加速多元應用場景的拓展落地。為保證項目在無錫高新區發展，無錫國家高新技術產業開發區管理委員會為思微特提供相應發展支持政策。”上市公司闡述。
同時，公司也對相關風險予以提示，包括：本次對外投資項目的建設實施需要一定的周期，預計短期內不會對公司業績產生重大影響；本次對外投資的資金將通過自有、自籌等方式解決。對外投資項目規劃的投資金額較大，最終實際投資金額具有不確定性并且存在因資金緊張等因素而導致項目無法按期投入、完成的風險等。
