存儲(chǔ)芯片進(jìn)入“超級(jí)周期”，國(guó)產(chǎn)龍頭IPO進(jìn)展加速。繼長(zhǎng)鑫科技發(fā)起IPO后，A股有望再迎來(lái)一家存儲(chǔ)巨頭。

據(jù)證監(jiān)會(huì)網(wǎng)站披露，5月19日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股股份有限公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股”）在湖北證監(jiān)局辦理輔導(dǎo)備案登記，擬首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市，輔導(dǎo)券商為中信證券、中信建投證券。

輔導(dǎo)備案信息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股成立于2016年12月，無(wú)控股股東，第一大股東為湖北長(zhǎng)晟發(fā)展有限責(zé)任公司，直接持有公司26.5442%股份。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股的股東方有武漢芯飛科技、國(guó)家大基金、武漢光谷產(chǎn)業(yè)投資、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資、長(zhǎng)江產(chǎn)投集團(tuán)、蕪湖聞名泉泓、中銀金融資產(chǎn)等。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股曾用名長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司，也常被稱為長(zhǎng)存集團(tuán)。去年9月，公司完成股份制改革，召開(kāi)股份公司成立大會(huì)并選舉產(chǎn)生首屆董事會(huì)成員。此舉標(biāo)志著這家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)的治理結(jié)構(gòu)全面升級(jí)。這也被市場(chǎng)認(rèn)為是公司發(fā)起IPO的前奏。

2025年4月，上市公司養(yǎng)元飲品發(fā)布對(duì)外投資公告，稱旗下子公司泉泓投資出資16億元投資長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股，獲得后者0.99%的股份，以此計(jì)算，長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股估值約為1616億元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股最為外界熟知的是其全資子公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”），后者成立于2016年7月，注冊(cè)資本約1246億元，主要為市場(chǎng)提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品和解決方案。

在胡潤(rùn)研究院2025全球獨(dú)角獸榜中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元的估值位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9位、全球第21位，是當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的獨(dú)角獸。

作為長(zhǎng)江存儲(chǔ)控股的核心資產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，公司自主研發(fā)的晶棧?Xtacking?架構(gòu)是企業(yè)的技術(shù)王牌，該架構(gòu)開(kāi)創(chuàng)性地采用晶圓鍵合技術(shù)，在傳輸速度、存儲(chǔ)密度、研發(fā)效率及生產(chǎn)周期上均具突破性優(yōu)勢(shì)，曾三度斬獲國(guó)際FMS（閃存峰會(huì)）獎(jiǎng)項(xiàng)。2025年8月，最新的晶棧?Xtacking?4.0創(chuàng)新架構(gòu)再度榮獲FMS 3D NAND類目“最具創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)獎(jiǎng)”，充分印證了其在3D NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)際領(lǐng)先地位。

“AI將推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2030年邁入萬(wàn)億美元規(guī)模。”長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行副總裁程衛(wèi)華在年初舉行的“世界光谷”全球產(chǎn)業(yè)合伙人大會(huì)上演講時(shí)表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是AI價(jià)值鏈占比最高的產(chǎn)業(yè)，2024年占比達(dá)80%，而中國(guó)企業(yè)在EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）、設(shè)備、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)占比仍顯薄弱——設(shè)備僅5%、材料20%、EDA不足2%，“這既是挑戰(zhàn)，更是巨大的增長(zhǎng)空間”。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的發(fā)展經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的蟄伏期。10年前，國(guó)家存儲(chǔ)器基地落地武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為實(shí)施主體，湖北、武漢、光谷三級(jí)國(guó)資累計(jì)投入超300億元，扛過(guò)長(zhǎng)期虧損周期。

而據(jù)媒體報(bào)道，因?yàn)榇罅看鎯?chǔ)芯片訂單涌入，武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)正以最快速度擴(kuò)大產(chǎn)能。其援引消息人士指出：“長(zhǎng)江存儲(chǔ)在今年一季度收入已超過(guò)200億元，同比翻倍增長(zhǎng)，其3D NAND閃存芯片產(chǎn)量已超過(guò)全球市場(chǎng)的10%，逼近全球第三。”

當(dāng)前，全球AI需求爆發(fā)、核心硬件成本暴漲，存儲(chǔ)芯片正迎來(lái)由AI驅(qū)動(dòng)的超級(jí)周期。中信證券研報(bào)顯示，受AI強(qiáng)勁需求拉動(dòng)，存儲(chǔ)需求將保持高景氣度，存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)有望貫穿2026年全年并持續(xù)帶來(lái)行業(yè)催化。

面對(duì)行業(yè)超級(jí)周期，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)武漢新洲區(qū)政府官網(wǎng)2月發(fā)布的消息，武漢集成電路產(chǎn)業(yè)第三個(gè)千億級(jí)項(xiàng)目——長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期計(jì)劃今年建成投產(chǎn)，將帶動(dòng)上下游200家企業(yè)聚集。而據(jù)媒體報(bào)道，如果三期擴(kuò)產(chǎn)按計(jì)劃完成，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望在2026年占據(jù)全球超過(guò)10%的市場(chǎng)份額，并有可能超越美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光，成為全球第四大存儲(chǔ)芯片制造商。

公開(kāi)資料顯示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器大致可以分為易失性存儲(chǔ)與非易失性存儲(chǔ)，前者主要有DRAM、SRAM；后者主要是閃存產(chǎn)品，主流產(chǎn)品有NAND Flash和NOR Flash。而已經(jīng)在IPO進(jìn)程中的長(zhǎng)鑫科技瞄準(zhǔn)的是DRAM領(lǐng)域。