本川智能(300964)5月21日晚公告，公司控股子公司南京本川鵬芯科技有限公司（以下簡稱“本川鵬芯”）近日與西安交通大學簽署了《技術開發（委托）合同》，本川鵬芯委托西安交通大學研究開發功率半導體器件CIPB高密度封裝技術，并支付研究開發經費和報酬，西安交通大學接受委托并進行此項研究開發工作。
據介紹，本次委托開發目的是根據最新工程實踐與學術研究，對碳化硅（SiC）多芯片并聯嵌入式CIPB功率半導體封裝技術進行研究。通過多物理場仿真，驗證嵌入式CIPB封裝在SiC多芯片并聯工況下的可行性與極限邊界；在設計階段識別并消除因高dv/dt、高功率密度帶來的電、熱、機械失效風險；為后續工藝定型、可靠性測試和量產降本提供數字化依據。
本川智能表示，基于對未來長遠發展戰略布局，聚焦碳化硅功率半導體高端封裝領域前沿技術，著力布局CIPB（芯片內嵌功率基板）為核心的先進封裝技術平臺，全面布局高端電力電子器件賽道，公司正式啟動碳化硅多芯片并聯嵌入式CIPB封裝技術的專項研發與產業化落地工作。
本次簽訂技術開發合同，旨在深度依托西安交通大學在電力電子領域深厚的科研積淀、實驗平臺與技術研發優勢，結合公司自身多年來在PCB領域積累了豐富的精細化生產管理、質量控制經驗和成熟的管理人才體系等方面的產業實操能力，高效推動前沿科研技術成果快速實現工程化迭代與產業化落地，雙方協同完成適配CIPB技術路線的新型碳化硅封裝結構及配套工藝體系的搭建，形成可量產的功率模塊解決方案。
同時，借助高校優質科研平臺與師資力量，助力公司專業技術人才梯隊建設與核心研發團隊能力提升，持續夯實公司相關產品技術壁壘與核心競爭優勢，加速完善產業布局。
本川智能同時提示風險，項目研制開發周期約為1年，本合同在履行過程中可能受宏觀經濟、政策變化、研發不達預期等不可預見的制約因素，影響最終執行情況；如本次技術開發項目工作能順利完成，后期科研轉化成果能否最終實現或產業化實現的進程也會受行業、政策、市場需求變化等多種因素影響，預期效益存在較大不確定性。
日前，本川智能在接待機構調研時表示，公司正在進行對CIPB項目的廠房改造和定制化產線布局，目前已有6家客戶完成多版打樣，3家客戶進入小批量試產階段。項目目前處于小批量試產階段，大規模放量預計在未來1-2年。公司已針對不同材料熱膨脹系數差異導致的翹曲問題，完成10種以上材料驗證，解決了高壓絕緣、激光開槽、微孔填鍍等核心技術難題；同時與上游芯片廠商、模塊廠深度合作，打通了從材料到成品的全鏈路供應能力，為后續規模化量產做好了準備。
嵌入式集成是PCB行業主流發展趨勢，公司已完成埋銅、埋阻工藝積累，穩步向埋芯方向升級，持續布局埋硅、埋電容等前沿嵌入式方案，持續夯實技術壁壘。
