國產DRAM龍頭即將登陸資本市場。6月12日，證監會同意長鑫科技首次公開發行股票并在科創板上市的注冊申請。不過，近期全球范圍內存儲巨頭股價波動加大，開始引發系列擔憂和防范。
作為科創板落地“預先審閱”改革后的首單試點項目，長鑫科技在2025年12月30日科創板受理，到本次注冊生效，歷時165天完成審核，創下國內大型硬科技IPO審核高效率記錄。
長鑫科技為無控股股東、無實際控制人架構，由創始團隊主導日常經營。前五大股東包括清輝集電、長鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投，其中，合肥國資體系合計持有長鑫科技股權比例約37%。另外，朱一明通過合肥集鑫上層合伙人平臺獲授予15.36億股作為激勵股份，計劃將獲授股份50%將在上市后10年內全部分配給公司員工（不含其本人）用作激勵。
受益于AI服務器算力需求爆發，全球DRAM景氣度持續攀升，長鑫科技近期業績迎來爆發式增長，盈利規模躋身A股頭部梯隊。2026年一季度公司實現營收508億元，同比暴漲719.13%，歸母凈利潤247.62億元，扣非歸母凈利潤263.41億元，單季度營收、凈利潤兩項指標均居科創板所有上市公司首位。
結合公司披露的上半年業績預告，2026年上半年預計營收實現1100億至1200億元，同比增長612.53%至677.31%，歸母凈利潤預計500億至570億元，盈利增長勢頭延續。
在技術上，長鑫科技采取“跳代研發”，完成從第一代工藝技術平臺到第四代工藝技術平臺的量產，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的產品覆蓋和迭代，目前核心產品及工藝技術已達到國際先進水平。
本次公司IPO募集資金295億元，創下科創板IPO擬募資額之最，將投向“存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目”“DRAM存儲器技術升級項目”和“動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目”。
當前全球DRAM行業格局，海外寡頭壟斷格局依舊穩固，長鑫科技是唯一實現突圍的中國大陸廠商。根據Omdia2025年第四季度銷售額統計數據，SK海力士、三星電子、美光科技合計壟斷超91%的全球市場，長鑫科技以7.67%的份額穩居全球第四、國內第一，打破了海外巨頭的技術與市場雙重封鎖。
隨著長鑫科技注冊落地，國內存儲國產化布局迎來關鍵節點。國產閃存原廠長江存儲已于5月19日上市輔導備案，啟動IPO流程，是中國最大的NAND Flash制造商，公司正加速產能布局，致力于打造世界級存算一體產業化基地。
分析認為，兩大國產存儲原廠先后登陸A股后，將借助資本市場募資加速產能擴張、設備材料國產化替代，帶動上游刻蝕、薄膜、光刻配套以及下游封測全產業鏈發展，補齊國內半導體存儲板塊長期短板。
在長鑫科技推進上市進程之際，國際存儲巨頭市值年內持續飆升，行業估值邏輯正在嘗試重構，從“傳統周期股”向“AI基礎設施成長股”切換。不過，最新消息稱，全球主要銀行正圍繞對沖基金押注SK海力士及三星電子的杠桿頭寸實施管控，包括提高這兩只股票互換交易的融資利率，旨在應對上述芯片股今年來急劇飆升后積累的潛在回調風險。
當前存儲芯片市場仍保持高景氣度。據CFM閃存市場機構最新預測，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市場規模達1371.4億美元，環比增長81.6%，同比增長245%，創歷史季度新高。另外，受供需錯配影響，存儲緊缺漲價格局仍具備較強延續性。
