5月27日下午，根據上海證券交易所公告，長鑫科技科創板IPO獲上市委會議通過。這家被視為“中國版SK海力士”的存儲芯片龍頭企業，正攜295億元的擬募資規模，站在資本市場的聚光燈下。
在全球半導體產業深刻變革的當下，中國存儲芯片勢力正在向由三星電子、SK海力士、美光科技三巨頭主導的全球存儲俱樂部邁進。
步入主要廠商陣營
長鑫科技是我國規模領先、技術先進、布局完善的DRAM（動態隨機存儲器芯片）研發設計制造一體化企業之一。本次IPO擬募集資金總額為295億元，成為科創板史上僅次于中芯國際的第二大IPO。
招股書介紹，長鑫科技自2016年成立以來，突破了DRAM關鍵核心技術并順利實現產品自主研發、設計和商業化量產，填補了中國大陸DRAM產品在全球市場上的空白。根據Omdia的數據，按照產能、出貨量和銷售額統計，長鑫科技已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。
招股書披露，長鑫科技正逐步進入主要廠商陣營，按照2025年第四季度DRAM銷售額統計，長鑫科技的全球市場份額已增至7.67%。
中國雖然是全球主要DRAM消費市場，但本土品牌DRAM產品自給率仍較低。隨著人工智能快速發展，相關基礎設施投資高速增加，DRAM的市場需求呈現爆發式增長，本土存儲公司加快發展，龍頭企業資本化進程提速。
國產存儲追趕技術浪潮
市場咨詢機構Gartner今年4月發布研究報告，提出“存儲通脹”的概念，預測全球DRAM年度價格將上漲125%，NAND閃存價格將同比提升234%。今年一季度漲勢延續。根據Counterpoint Research數據，2026年一季度DRAM價格環比上漲了80%，創下歷史新高，預計二季度DRAM價格將進一步上漲。
市場需求帶動公司業績上漲。SK海力士今年一季度營業利潤同比增長405%，三星電子營收、營業利潤均創下季度歷史新高。
長鑫科技同樣迎頭趕上。今年一季度，長鑫科技實現營業收入508億元，同比增長719.13%；歸母凈利潤247.62億元，同比大幅扭虧為盈。長鑫科技預計，公司今年上半年凈利潤為500億元至570億元，該數字超過了公司過去十年的累積虧損。招股書披露，截至2025年12月31日，長鑫科技累計虧損為366.5億元。
長鑫科技在招股書中指出，公司產能規模仍遠低于國內龐大的市場需求，隨著上市募集資金建設項目的穩步推進，公司將加速工藝升級，從而實現更低的單位成本，獲得更強的市場競爭力及盈利能力，滿足未來全球下游市場旺盛的需求。
“跳代研發”縮小技術差距
公司采取“跳代研發”的策略，從公司成立起不做低端、落后制程，直接在2019年推出自主設計生產的8Gb DDR4芯片，實現了中國大陸DRAM產業“從0到1”的突破。隨后在2024年、2025年，長鑫科技DDR5、LPDDR5X產品相繼量產。如今已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等產品覆蓋和迭代。
長鑫科技主要產品正加速滲透下游市場。招股書顯示，目前DDR5向服務器、個人電腦等下游市場覆蓋；LPDDR4X芯片兼具大容量、高速率、高帶寬和低功耗的特點，目前已進入小米、OPPO、vivo、傳音、聯想等主流廠商供應鏈；LPDDR5/5X具有高安全性，能實時糾錯，減少系統故障。
國金證券電子首席分析師樊志遠指出，長鑫科技與全球DRAM存儲龍頭技術節點差距逐漸縮小。公司技術迭代速度顯著加快，2025年10月推出的LPDDR5X最高速率達10667Mbps，性能指標已對標國際主流水平。
長鑫科技已計劃投資345億元用于研發和擴產，其中75億元用于存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目，180億元用于DRAM存儲器技術升級項目，90億元用于動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目。
樊志遠認為，存儲芯片架構正經歷從2D向3D的深層次變革，未來，存儲芯片制造工藝中對高深寬比刻蝕及先進薄膜沉積的要求呈指數級提升，關鍵設備廠商也將深度受益于工藝復雜度提升帶來的紅利。
